Samsung און Qualcomm אַנאַונסט אן אנדער טשיפּסעט וואָס וועט זיין די האַרץ פון עטלעכע נייַע פאָנעס. עס איז אַ Snapdragon 835 און איז מאַניאַפאַקטשערד מיט 10nm FinFET טעכנאָלאָגיע. לויט אינפֿאָרמאַציע וואָס קומט פון טשיינאַ, דער פּראַסעסער וועט פאָרשלאָגן אַכט קאָרעס אַנשטאָט פון פיר. אַזוי די Snapdragon 835 וועט זיין אַ פאַקטיש סטינגער.
גראַפיקס וועט זיין כאַנדאַלד דורך די Adreno 540 שפּאָן, SoC מיט UFS 2.1 טעכנאָלאָגיע שטיצן און מער. וניווערסאַל סטאָרידזש פלאַש 2.1 אָפפערס באַטייַטיק ימפּרווומאַנץ איבער די פריערדיקע ווערסיעס, ברענגען בעסער זיכערהייט און מער. משמעות, עס וועט זיין דער ערשטער מאָדעל צו באַקומען די נייַע פּראַסעסער Galaxy S8, וואָס זאָל אָנקומען אין דער ערשטער העלפט פון ווייַטער יאָר.
עס זאָל אויך זיין באמערקט אַז דער דאָקומענט רעפערס צו אן אנדער אַנאַנאַונסט טשיפּסעט פון Qualcomm אַז מיר זאָל דערוואַרטן אין Q2 2017. די Snapdragon 660 וועט קומען מיט אַכט קאָרעס, צוזאמען מיט אַ אַדרענאָ 512 גפּו און UFS 2.1 שטיצן. אָבער, די Snapdragon 660 וועט זיין מאַניאַפאַקטשערד מיט אַ 14nm פּראָצעס, נישט 10nm.
מקור: Phonearena
